キヤノンの半導体露光装置事業がかつての勢いを取り戻している。ArF液浸露光装置やEUV（極端紫外線）露光装置を事業化できず、オランダASMLやニコンとの開発競争に敗れた同社。ところがここにきて、生成AI（人工知能）を支える先端パッケージング向けの市場を総取りしている。ナノインプリントリソグラフィー装置を発売し、微細化の最先端にも返り咲く（図1）。フルラインナップで王者ASMLに対抗しようと、かつて撤退したArFドライ露光装置も開発を続け再参入の機会をうかがう。
半導体露光装置の金額ベースの市場シェアは、経済産業省の資料によれば足元でASMLが9割強を占める。同社は台湾積体電路製造（TSMC）や韓国Samsung Electronics（サムスン電子）、米Intel（インテル）などの最先端工場に欠かせないEUV露光装置（波長13.5nm）市場を独占。露光波長別で1つ前の世代に当たるArF液浸露光装置（波長193nm）でも競合のニコンを大きく上回るシェアを持つ。液浸露光とは露光装置のレンズとウエハーの間を純水で満たし、純水にレンズの役割をさせることで通常の露光装置（ドライ露光装置）と比べ解像度を高める技術である。
メーカー各社は公表しないが、EUV露光装置の価格は200億～300億円、ArF液浸露光装置は60億～100億円ほどとみられる。ここにきてIntelが初号機を導入した高NA（開口数）EUV露光装置は、500億円に近いとの観測もある。こうした高額な最先端装置で独り勝ちしていることが金額面でASMLが圧倒的シェアを握る理由だ。
ただし、5nm世代や3nm世代といった最先端の工場で使われているのはEUV露光装置やArF液浸露光装置ばかりではない。半導体の前工程（ウエハー工程）には数十もの露光工程が必要で、プロセスコストが高いEUV露光やArF液浸露光を使うのはクリティカルレイヤーと呼ばれる加工寸法が最小またはそれに近い層に限られる。キヤノン光学機器事業本部副事業本部長の岩本和徳氏（半導体機器事業部長）は「例えば50層を露光する最先端半導体では、EUV露光を使うのは2～3層、ArF液浸露光を使うのは最大10層ほどだろう」と話す。
加工寸法が比較的大きい層には、ArFドライ露光装置、KrF露光装置（波長248nm）、i線露光装置（同365nm）などが使われる。価格はArFドライ露光装置が20億～30億円、KrF露光装置が10億～20億円、i線露光装置が5億～10億円ほどとされる。
そしてキヤノンは「i線露光装置で8割ほど、KrF露光装置で3割弱の台数シェアを持つ」（岩本氏）。すなわちTSMCやSamsungなどの最先端工場には、キヤノンのi線露光装置やKrF露光装置が多数導入されている。微細化で最先端を走るEUV露光装置に注目が集まりがちだが、「i線露光装置やKrF露光装置を抜きに最先端半導体は製造できない」（同氏）。足元ではCMOSイメージセンサー、シリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）製のパワー半導体向けの引き合いも強い。
